HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE法により成長したIV-VI族希薄磁性半導体(Sn,Mn)TeのTEMによる構造解析(TEM observation of IV-VI diluted magnetic semiconductor (Sn,Mn)Te grown by MBE)石川諒, 伊藤寛史, 友弘雄太, 秋山了太, 仁谷浩明, 三留 正則, 黒田眞司. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS著者三留 正則Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-07-01 16:43:02 +0900更新時刻: 2018-07-01 16:43:02 +0900