HOME > Presentation > DetailMBE法により成長したIV-VI族希薄磁性半導体(Sn,Mn)TeのTEMによる構造解析(TEM observation of IV-VI diluted magnetic semiconductor (Sn,Mn)Te grown by MBE)石川諒, 伊藤寛史, 友弘雄太, 秋山了太, 仁谷浩明, 三留 正則, 黒田眞司. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. September 18, 2018-September 21, 2018.NIMS author(s)MITOME, MasanoriFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-07-01 16:43:02 +0900Updated at: 2018-07-01 16:43:02 +0900