HOME > 口頭発表 > 書誌詳細オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究(Study on the mechanism of current collapse in GaN-HEMT using the operando microspectroscopy)大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村 直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一. 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017年03月14日-2017年03月17日.NIMS著者永村 直佳Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-19 04:38:12 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:34:53 +0900