Modified Diffusion Bond Process for Chemical Mechanical Polishing (CMP)-Cu at 150｡・ in Ambient Air
(CMP-Cu薄膜のための150℃以下の低温・大気圧雰囲気中における拡散接合法)
THe 59th Electronic Components and Technology Conference (ECTC). 2009年05月26日-2009年05月29日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 12:23:56 +0900 更新時刻: 2022-09-05 12:23:56 +0900