A Dirty Threshold of Track Formation and Ion Range Enhancement Induced by C60 Ion Irradiation to Crystalline Silicon
(Si結晶へのC60イオン照射で観測されるトラック形成の汚い閾値とイオン飛程増大)
第35回日本MRS年次大会. 2025年11月10日-2025年11月12日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2025-11-15 03:12:17 +0900 更新時刻: 2025-11-15 03:12:17 +0900