HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy(MOVPE法により(001)、(111)面ダイヤモンド基板上に成長させた窒化アルミニウムの成長モード評価と微細構造観察)IMURA, Masataka. The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy. 2009.NIMS著者井村 将隆Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 12:24:40 +0900更新時刻: 2022-09-05 12:24:40 +0900