HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] 化合物半導体の気相エピタキシャル成長層の製造法1977-02-08. 特開S52016973号 (Google Patents) , 特許1024536号NIMS著者作成時刻 :2023-07-22 21:44:05 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:44:05 +0900