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[Published patent application] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス
NIMS author(s)
Created at :2023-07-22 21:45:44 +0900 Updated at :2023-07-22 21:45:44 +0900
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