HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] 垂直磁化膜の前駆体構造、垂直磁化膜構造、およびその製造方法、これらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合膜およびその製造方法、ならびにこれらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子2019-03-14. EP3683851 (Google Patents) US2020357985 (Google Patents) WO2019049740 (Google Patents) 3683851 (Google Patents) NIMS著者介川 裕章三谷 誠司作成時刻 :2023-07-22 21:46:03 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:46:03 +0900