HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] 二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）単結晶の育成法及び半導体形成用基板2009-08-06. 特開2009173512号 (Google Patents) , 特許5218960号NIMS著者相澤 俊作成時刻 :2023-07-22 21:45:22 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:22 +0900
