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[公開特許出願] 二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)単結晶の育成法及び半導体形成用基板

2009-08-06. 特開2009173512号 (Google Patents) , 特許5218960号

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:45:22 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:22 +0900

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