HOME > その他の文献 > 書誌詳細究極のIII-V族化合物半導体材料としての窒化ホウ素への誘い渡邊 賢司. NEW DIAMOND （編集ニューダイヤモンドフォーラム、発行オーム社） 22 [80] 44-44. 2006.NIMS著者渡邊 賢司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-11-20 10:36:39 +0900更新時刻: 2020-11-20 10:36:39 +0900
