HOME > その他の文献 > 書誌詳細Atomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films(抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として)TSURUOKA, Tohru, HASEGAWA, Tsuyoshi, TERABE, Kazuya, AONO, Masakazu. Proceedings of the 23rd Symposium on Phase Change Optical Information Storage 53-56. 2011.NIMS著者鶴岡 徹寺部 一弥青野 正和Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 13:22:25 +0900更新時刻: 2022-09-05 13:22:25 +0900