HOME > その他の文献 > 書誌詳細Positron annihilation study on defects in ion-implanted Si(陽電子消滅法によるイオン照射したSi中の欠陥の研究)赤羽隆史, 藤浪真紀, 澤田嗣郎. JAERI-conf report . .NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 11:11:03 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:11:03 +0900
