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h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(Normally-off high-mobility diamond field-effect transistor with an h-BN gate insulator)

New diamond 38 [3] 20-25. 2022.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2022-12-29 03:28:25 +0900更新時刻: 2023-10-10 10:59:24 +0900

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