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h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(Normally-off high-mobility diamond field-effect transistor with an h-BN gate insulator)

Author(s)笹間 陽介, 山口 尚秀.
Journal titleNew diamond 20-25
Publisher
Year of publication2022
LanguageJapanese

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