酸素空孔が引き起こすp+poly-SiゲートHf 系High-K SFETにおける大きな閾値電圧シフトー論理的アプローチ
(Oxygen vacancy induced substantial threshold voltage shifts in the Hf-based high-k MISFET with p+poly Si gates-A theoretical app)
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:30:38 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:30:38 +0900