タングステン電極とハフニウム絶縁膜界面性状の電気的信頼性への影響：量子化学分子動力学解析 | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Effect of Interface Characteristics of W/HfO2±x on Electronic Reliability: Quantum Chemical Molecular Dynamics Study
(タングステン電極とハフニウム絶縁膜界面性状の電気的信頼性への影響：量子化学分子動力学解析)

Ken Suzuki, Tatsuya Inoue, YOSHIKAWA, Hideki, Hideo Miura.

IEEE Simulation of Semiconductor Processes and devices 120-123. 2008.

NIMS著者

吉川英樹

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-09-05 12:03:48 +0900 更新時刻: 2022-09-05 12:03:48 +0900

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