グラフェン上に作製した単層SnTeの電子構造を角度分解光電子分光で直接観測し、平坦構造ではなく、パッカリングした偶数層型構造が実現していることを明らかにしました。さらに、グラフェン基板がSnTeの面内配向やパッカリングの大きさ、界面の静電環境に影響することを示しました。多層膜との比較から、界面に安定化された単層状態からよりバルク的な電子状態へ移行する過程も捉えました。

作成時刻: 2026-10-01 03:08:29 +0900 更新時刻: 2026-10-02 03:08:21 +0900