Improved Strain Engineering of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides via Van der Waals Epitaxy on Graphene/SiC(0001)

Ryotaro Sakakibara; Kaito Hirata; Yasufumi Takahashi; Wataru Norimatsu; Yasumitsu Miyata; Ryotaro Sakakibara; Kaito Hirata; Yasufumi Takahashi; Wataru Norimatsu; Yasumitsu Miyata

doi:10.1021/acs.nanolett.5c02492

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Improved Strain Engineering of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides via Van der Waals Epitaxy on Graphene/SiC(0001)

Ryotaro Sakakibara, Kaito Hirata, Yasufumi Takahashi, Wataru Norimatsu, Yasumitsu Miyata.

Nano Letters 25 [34] 12851-12858. 2025.

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c02492

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論文紹介

グラフェン/SiC(0001)基板上に直接成長した遷移金属ダイカルコゲナイドにおける均一な歪み導入とその効果

二次元物質である遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶格子に歪みを導入することで、バンドギャップや触媒活性などの物性を変調できる。本研究では、グラフェン/SiC(0001)基板上に直接成長した単層WSe2が均一な歪みによって狭い線幅のフォトルミネッセンスを示すことを見出した。これはWSe2とSiCの熱膨張係数の違いによる引張歪みの導入と界面のグラフェン層による歪みの均一性の向上に起因する。また、同基板上に成長した単層MoS2が水素発生反応に対する高い触媒活性を示すことも明らかとなった。

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作成時刻: 2025-08-29 03:09:57 +0900 更新時刻: 2026-04-06 04:36:17 +0900