High-Quality GaAs Quantum Dots Grown Using a Modified Droplet Epitaxy Technique | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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High-Quality GaAs Quantum Dots Grown Using a Modified Droplet Epitaxy Technique
(改良した液滴エピタキシィ法により成長させた高品質GaAs量子ドット)

渡邉克之, 小口信行, ONISHI, Keiko, Lee C. D., Leem J. Y., Lee H. J., Noh S. K., 渡邉克之, Lee C. D., Leem J. Y., Lee H. J., Noh S. K..

Journal of the Korean Physical Society 38 [1] 25-28. 2001.

NIMS著者

大西桂子

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:43:15 +0900 更新時刻: 2018-12-15 01:22:55 +0900

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