Microstructural Change in dislocation Structure around SiGe/Si interface in SGOI wafer : wafer ramping process | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Microstructural Change in dislocation Structure around SiGe/Si interface in SGOI wafer : wafer ramping process
(加熱に伴うSGOI ウェーハのSiGe/Si界面近傍における転位構造の微細構造解析)

II, Seiichiro, Yuichi TAKAKI, Ken-ichi IKEDA, Hideharu NAKASHIMA, Hiroshi NAKASHIMA.

THIN SOLID FILMS 38-40. 2008.

NIMS著者

井誠一郎

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-10-21 22:42:55 +0900更新時刻: 2022-10-21 22:42:55 +0900

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