有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定

日髙 功二; 小金丸 正明; 関根 智仁; 宍戸 信之; 神谷 庄司; 池田 徹; 時任 静士; Koji Hidaka; Masaaki Koganemaru; Tomohito Sekine; Nobuyuki Shishido; Shoji Kamiya; Takeo Minari; Toru Ikeda; Shizuo Tokito; 日髙 功二; 小金丸 正明; 関根 智仁; 宍戸 信之; 神谷 庄司; 池田 徹; 時任 静士

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有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定
(Evaluation of Leakage Current and Leakage Path of Gate-Insulating Layer Used in Organic Thin-Film Transistors under Mechanical Loading)

Koji Hidaka, Masaaki Koganemaru, Tomohito Sekine, Nobuyuki Shishido, Shoji Kamiya, 三成剛生, Toru Ikeda, Shizuo Tokito, 日髙功二, 小金丸正明, 関根智仁, 宍戸信之, 神谷庄司, 池田徹, 時任静士.

エレクトロニクス実装学会誌 24 [6] 586-594. 2021.

NIMS著者

三成剛生

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2021-09-08 03:00:20 +0900更新時刻: 2022-03-02 03:13:15 +0900

有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定(Evaluation of Leakage Current and Leakage Path of Gate-Insulating Layer Used in Organic Thin-Film Transistors under Mechanical Loading)

NIMS著者

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有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定
(Evaluation of Leakage Current and Leakage Path of Gate-Insulating Layer Used in Organic Thin-Film Transistors under Mechanical Loading)