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著者名Z Q Chen, T Sekiguchi, X L Yuan, M Maekawa, A Kawasuso.
タイトルN+ion-implantation-induced defects in ZnO studied with a slow positron beam
掲載誌名Journal of Physics: Condensed Matter 16 2 S293 S299
ISSN: 09538984 1361648X
発表年2004
言語English
DOI10.1088/0953-8984/16/2/035
ESIでのカテゴリPHYSICS
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