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Electrical observation of non-radiative recombination in Er doped Si nano-crystals during thermal quenching of intra-4f luminescence
(4fバンド内発光するEr添加Siナノ結晶の温度消光要因となる非発光再結合の電気的分析)

Masashi Ishii, Iain F. Crowe, Matthew P. Halsall, Andrew P. Knights, Russell M. Gwilliam, Bruce Hamilton.

Japanese Journal of Applied Physics 53 [3] 031302. 2014.

https://doi.org/10.7567/jjap.53.031302

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作成時刻: 2016-05-24 17:15:25 +0900 更新時刻: 2026-10-08 05:33:18 +0900

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