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Carrier transport properties of MoS2 field-effect transistors produced by multi-step chemical vapor deposition method

著者S. Heo, R. Hayakawa, Y. Wakayama.
掲載誌名Journal of Applied Physics 121 [2] 024301
ISSN: 00218979, 10897550
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社AIP Publishing
発表年2017
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4973491
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