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著者名S. Heo, R. Hayakawa, Y. Wakayama.
タイトルCarrier transport properties of MoS2 field-effect transistors produced by multi-step chemical vapor deposition method
掲載誌名Journal of Applied Physics 121 [2] 024301
ISSN: 10897550 00218979
発表年2017
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4973491
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