Critical Impact of Gate Dielectric Interfaces on the Contact Resistance of High-Performance Organic Field-Effect Transistors | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Critical Impact of Gate Dielectric Interfaces on the Contact Resistance of High-Performance Organic Field-Effect Transistors
(有機トランジスタのコンタクト抵抗におけるゲート絶縁層の影響)

Chuan Liu, Yong Xu, Yun Li, William Scheideler, Takeo Minari.

The Journal of Physical Chemistry C 117 [23] 12337-12345. 2013.

https://doi.org/10.1021/jp4023844

NIMS著者

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作成時刻: 2016-05-24 17:06:18 +0900 更新時刻: 2026-10-08 05:27:18 +0900

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