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著者名H. D. Gan, S. Ikeda, W. Shiga, J. Hayakawa, K. Miura, H. Yamamoto, H. Hasegawa, F. Matsukura, T. Ohkubo, K. Hono, H. Ohno.
タイトルTunnel magnetoresistance properties and film structures of double MgO barrier magnetic tunnel junctions
掲載誌名Applied Physics Letters 96 [19] 192507
ISSN: 00036951 10773118
発表年2010
言語English
DOI10.1063/1.3429594
ESIでのカテゴリPHYSICS
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