Ga-S-Ga bridge bond formation in in-situ s-treated GaAs(001) surface observed by synchrotron radiation photoemission spectroscop
(放射光電子分光法X線吸収端微細構造X線定在波法で観察した真空中硫黄処理GaAs(001)表面におけるGa-S-Gaブリッジ結合形成)
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作成時刻: 2016-05-24 11:38:06 +0900更新時刻: 2018-12-15 00:42:05 +0900