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著者名Hirofumi Matsuhata, Naoyuki Sugiyama, Bin Chen, Tamotsu Yamashita, Tetsuo Hatakeyama, Takashi Sekiguchi.
タイトルSurface defects generated by extrinsic origins on 4H-SiC epitaxial-wafers observed by scanning electron microscopy
掲載誌名Microscopy
ISSN: 20505701 20505698 00220744
発表年2016
言語English
DOI10.1093/jmicro/dfw107
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