Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on a S-Terminated GaAs(001) By VLS Mechanism in MBE.
(S終端処理を施したGaAs(001)基板上における，MBE中のVLS機構を利用した，GaAsエピタキシャル微結晶の成長.)
NIMS著者
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作成時刻: 2022-11-15 00:38:58 +0900更新時刻: 2022-11-15 00:38:58 +0900