Stability of the Quasicubic Phase in the Initial Stage of the Growth of Bismuth Films on Si(111)-7×7 | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Stability of the Quasicubic Phase in the Initial Stage of the Growth of Bismuth Films on Si(111)-7×7
(Si(1119-7x7表面上Bi薄膜成長初期過程における準立方相の安定性)

J. T. Sadowski, T. Nagao, S. Yaginuma, Y. Fujikawa, T. Sakurai, A. Oreshkin, M. Saito, T. Ohno.

Journal of Applied Physics 99 [1] 014904. 2006.

https://doi.org/10.1063/1.2150598

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作成時刻: 2016-05-24 15:07:07 +0900更新時刻: 2024-04-01 20:43:55 +0900

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