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45 degree rotational epitaxy of SrTiO3 thin films on sulfide-buffered Si
(45°回転を用いたEpitaxial　SrTiO3薄膜の硫化物終端Si基板上の作製)

Y.-Z. Yoo, P. Ahmet, Zheng-Wu Jin, K. Nakajima, T. Chikyow, M. Kawasaki, Y. Konishi, Y. Yonezawa, J. H. Song, H. Koinuma.
Applied Physics Letters 82 [23] 4125-4127. 2003.
https://doi.org/10.1063/1.1581383

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    作成時刻: 2016-05-24 11:56:25 +0900 更新時刻: 2026-09-28 04:34:27 +0900

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