Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique

著者	T. Yajima, G. Oike, S. Yamaguchi, S. Miyoshi, T. Nishimura, A. Toriumi.
掲載誌名	AIP Advances 8 [11] 115133 ISSN: 21583226 ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	AIP Publishing
発表年	2018
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5055302
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