Atomic and electronic structures of the β-FeSi2/Si(001) interface
NIMS著者
論文紹介
Si(001)基板上に成長したβ-FeSi2の界面構造と電子状態
β-FeSi2 とSi(001)基板間の界面における原子配列を走査透過電子顕微鏡と密度汎関数理論計算を用いて決定した。その結果、β-FeSi2はSi(001)面の単位胞あたり2個のシリコン二量体を介して結合していることがわかった。シリコンとβ-FeSi2はそれぞれ1.12eVと0.85eVのバンドギャップを持つ半導体であるが、バンド計算を行うとそれらの界面には金属的な二次元電子状態が実現していることが明らかとなった。
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作成時刻: 2024-11-12 03:14:08 +0900更新時刻: 2024-11-19 18:52:09 +0900