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Electrical Properties of the N-type Ferromagnetic Semiconductor HgCr1.9In0.1Se4/Ag Schottky-Barrier Diode

著者N. Koguchi, K. Masumoto.
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 19 [S3] 273
出版社Japan Society of Applied Physics
発表年1980
言語Japanese
DOIhttps://doi.org/10.7567/jjaps.19s3.273
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