HOME > 論文 > 書誌詳細N-polarity GaN on sapphire substrate grown by MOVPE(MOVPEによるサファイア基板上N極性GaN薄膜の成長)Takashi Matsuoka, Yasuyuki Kobayashi, Hiroko Takahata, Toshitugu Mitate, Seiichiro Mizuno, Atsushi Sasaki, Mamoru Yoshimoto, Tuyoshi Ohnishi, Masatomo Sumiya. physica status solidi (b) 243 [7] 1446-1450. 2006.https://doi.org/10.1002/pssb.200565456 NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2016-05-24 15:08:27 +0900 更新時刻 :2024-03-29 19:37:10 +0900