Realization of high quality epitaxial current- perpendicular-to-plane giant magnetoresistive pseudo spin-valves on Si(001) wafer using NiAl buffer layer | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Realization of high quality epitaxial current- perpendicular-to-plane giant magnetoresistive pseudo spin-valves on Si(001) wafer using NiAl buffer layer
(NiAl下地層によるSi(001)基板上高品位エピタキシャルGMR素子の実現)

Jiamin Chen, J. Liu, Y. Sakuraba, H. Sukegawa, S. Li, K. Hono.

APL Materials 4 [5] 056104. 2016.

https://doi.org/10.1063/1.4950827

Open Access AIP Publishing (Publisher)

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-10-26 15:42:32 +0900更新時刻: 2024-03-29 21:35:47 +0900

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