Realization of high quality epitaxial current- perpendicular-to-plane giant magnetoresistive pseudo spin-valves on Si(001) wafer using NiAl buffer layer
(NiAl下地層によるSi(001)基板上高品位エピタキシャルGMR素子の実現)

著者	Jiamin Chen, J. Liu, Y. Sakuraba, H. Sukegawa, S. Li, K. Hono.
掲載誌名	APL Materials 4 [5] 056104 ISSN: 2166532X ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	AIP Publishing
発表年	2016
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4950827
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