Interface-Engineered Proton-Gated Oxide Transistors with Multitimescale Synaptic Plasticity

Rupam Mandal; Kazuya Terabe; Tohru Tsuruoka; Rupam Mandal; Kazuya Terabe; Tohru Tsuruoka

doi:10.1021/acsami.6c14036

HOME > 論文 > 書誌詳細

Interface-Engineered Proton-Gated Oxide Transistors with Multitimescale Synaptic Plasticity

Rupam Mandal, Kazuya Terabe, Tohru Tsuruoka.

ACS Applied Materials & Interfaces 18 [43] 59455-59467. 2026.

https://doi.org/10.1021/acsami.6c14036

Open Access American Chemical Society (ACS) (Publisher) Materials Data Repository (MDR)

NIMS著者

新着論文紹介

多時間スケールのシナプス可塑性を備えた、界面設計を施したプロトンゲート型酸化物トランジスタ

電子ビーム（EB）蒸着したSiO2電解質と、スパッタしたWO3チャネルから構成されるプロトンゲート型シナプストランジスタを開発しました。EB蒸着SiO2の酸素欠損を伴う低膜密度と、電解質とチャネルの間に薄いAl2O3層を導入しプロトンの逆拡散を効果的に抑制することで、ゲート電圧印加のプロトンの挿入・脱挿入によりWO3チャネルの導電度を連続的に変調する汎用性の高いシナプス可塑性を実現しました。このトランジスタはCMOS製造プロセスと高い整合性を有し、イオンを用いたニューロモルフィックデバイスの集積化に貢献します。

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

MDRavailable Interface-Engineered Proton-Gated Oxide Transistors with Multitimescale Synaptic Plasticity

作成時刻: 2026-11-07 03:05:52 +0900 更新時刻: 2026-11-08 03:05:59 +0900