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著者名R. Buckmaster, J.H. Yoo, K. Shin, Y. Yao, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, T. Hanada, T. Goto, M. Cho, Y. Kawazoe, T. Yao.
タイトルGaN nanodot fabrication by implant source growth
掲載誌名Microelectronics Journal 36 3-6 456 459
ISSN: 00262692
発表年2005
言語English
DOI10.1016/j.mejo.2005.02.009
ESIでのカテゴリENGINEERING
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