A. Epping; S. Engels; C. Volk; K. Watanabe; T. Taniguchi; S. Trellenkamp; C. Stampfer

doi:10.1002/pssb.201300295

Etched graphene single electron transistors on hexagonal boron nitride in high magnetic fields

著者	A. Epping, S. Engels, C. Volk, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Trellenkamp, C. Stampfer.
掲載誌名	physica status solidi (b) 250 [12] 2692-2696 ISSN: 03701972 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	Wiley
発表年	2013
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1002/pssb.201300295
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