Transition from GaAs(001)(2×6)-S to(2×3)-S surface observed by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,X-ray absorpti | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Transition from GaAs(001)(2×6)-S to(2×3)-S surface observed by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,X-ray absorpti
(放射光光学電子分光法、Ｘ線吸収端微細構造・軟Ｘ線定在波法によるGaAs(001)(2×6)-S構造から（2×3)-S構造への変遷過程の観測)

塚本史郎, SHIMODA, Masahiko, 杉山宗弘, 渡辺義夫, 前山智, OHNO, Takahisa, KOGUCHI, Nobuyuki, 塚本史郎, 杉山宗弘, 渡辺義夫, 前山智.

IOP Conferene Series(Institute of Physics) [162] 604-608. 1999.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:40:08 +0900 更新時刻: 2018-12-15 01:28:56 +0900

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