Vacancy formation energy in Czochralski-grown Si crystals determined by a quenching method
(急冷法によるチョクラルスキシリコン結晶中の原子空孔形成エネルギー決定)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 16:33:53 +0900 更新時刻: 2026-09-29 06:33:21 +0900