In Situ Microlithography of Si and GaAs by a Focused Ion Beam in a 200 keV TEM
(200kevTEM中での集束イオンビームによるSiとGaAsのその場微細加工)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 11:36:38 +0900 更新時刻: 2026-09-07 07:11:14 +0900