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In situ anaylysis of the room temperature epitaxial grwoth of CEO2 ultra thin film on Ssi(111) by coaxial impact-collision ion s
(CAISISによるSi(11)面上のCeO2極薄膜の室温エピタキシャル成長のその場評価)

M Furusawa, Tashiro J, Nakajima K, Takakura M, CHIKYO, Toyohiro, Ahmet P, Yoshimoto M, M. Furusawa, J. Tashiro, A. Sasaki, K. Nakajima, M. Takakura, T. Chikyow, P. Ahmet, M. Yoshimoto.
Applied Physics Letters 78 [13] 1838-1840. 2001.
https://doi.org/10.1063/1.1356451

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    作成時刻: 2016-05-24 11:43:58 +0900更新時刻: 2024-04-01 20:19:23 +0900

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