Absence of a step-edge barrier on a polar semiconductor surface with reconstruction
(再構成された極性半導体表面上にステップエッジ障壁は 存在しない)
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:00:58 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:00:58 +0900