Scanning Tunneling Spectroscopy and First-Pronciples Inrestigation on GaAs(001)(2×6)-S Surface Formed by Molecular Beam Epitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Scanning Tunneling Spectroscopy and First-Pronciples Inrestigation on GaAs(001)(2×6)-S Surface Formed by Molecular Beam Epitaxy
(分子線エピタキシィ法により形成されたGaAs(001)(2×6)-S表面の走査型トンネル電子分光法及び第一原理的考察による解析)

塚本史郎, OHNO, Takahisa, KOGUCHI, Nobuyuki, 塚本史郎.

Journal of Crystal Growth 1303-1308. 1997.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:36:52 +0900 更新時刻: 2018-12-14 23:29:27 +0900

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