HOME > 論文 > 書誌詳細Grain-boundary interfacial states in BeO-doped SiC ceramics:Photoisothermal Capacitance transient Spectroscopy田中滋, 高橋研, 秋田千芳, 大串秀世, WADA, Yoshiki, 田中順三. J.Appl.Phys. 3836-3841. 1992.NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 10:34:42 +0900 更新時刻: 2022-09-05 10:34:42 +0900
