Device-Quality $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Device-Quality $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy
(Volume 5, Issue 3, pp. 035502-035502-3)

Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui, Encarnación G. Víllora, Kiyoshi Shimamura, Shigenobu Yamakoshi.

Applied Physics Express 5 [3] 035502. 2012.

https://doi.org/10.1143/apex.5.035502

NIMS著者

島村清史

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 16:41:36 +0900更新時刻: 2024-04-02 03:12:55 +0900

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