水素終端シリコン表面におけるゲルマニウム吸着原子の挙動 － 第一原理シミュレーションによる解析 －
(Ab-initio study on dynamics of Ge adatoms on H-terminated Si(001) surface)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 11:49:36 +0900更新時刻: 2018-05-30 17:49:42 +0900