Takashi Tsuchiya; Kazuya Terabe; Masakazu Aono

doi:10.1063/1.4818736

All-solid-state electric-double-layer transistor based on oxide ion migration in Gd-doped CeO2 on SrTiO3 single crystal

著者	Takashi Tsuchiya, Kazuya Terabe, Masakazu Aono.
掲載誌名	Applied Physics Letters 103 [7] 073110 ISSN: 00036951, 10773118 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	AIP Publishing
発表年	2013
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4818736
この文献をMendeleyにインポート